可望廣泛應用於3C觸碰產業所需要之高透明, 高導電之透明觸碰玻璃基材

作者: 李冠廷 博士, 呂世源 特聘教授

摘要

        利用電化學技術, 於陽極同時進行沉積與蝕刻反應, 製備具表面平整化性質之氟摻雜二氧化錫(FTO)導電薄膜, 能有效修飾目前市售FTO導電薄膜之表面形貌, 從較粗糙的表面, 修飾成較平整的結構, 使其於可見光區域的光穿透度, 由78%左右, 提升至約至少85%以上, 片電阻值仍然落於高導電規格的範圍內, 這樣的增益效能與成本, 相較目前許多業界所使用之高能耗, 耗時之氣相沉積技術等, 具有很大的潛在優勢, 目前此簡易電化學修飾技術, 已獲中華民國發明專利(專利證號:I464308)

關鍵技術

Cathode:

Sn4+ + 2e− → Sn2+
Sn2+ + 2e− → Sn
Sn4+ + 4e− → Sn
2H+ + 2e− → H2

Anode:
2H2O → O2 + 4H+ + 4e−
2Sn2+ + O2 + 6H2O → 2Sn(OH)4 + 4H+
Sn(OH)4 + Sn(OH)4 → 2SnO2 + 4H2O
SnO2 + 4H+ → Sn4+ + 2H2O.